Tường nguồn 48v

Pin mặt trời màng mỏng-hợp chất nhiều thành phần được làm từ muối vô cơ, chủ yếu bao gồm các hợp chất gallium arsenide III-V, cadmium sulfide và tế bào màng mỏng indium selenide-đồng.

Các tế bào màng mỏng đa tinh thể cadmium sulfide và cadmium Telluride-mang lại hiệu suất cao hơn so với các tế bào năng lượng mặt trời màng mỏng-silic vô định hình, chi phí thấp hơn so với các tế bào silicon-tinh thể đơn và dễ sản xuất hàng loạt- hơn. Tuy nhiên, do tính chất độc hại cao của cadmium nên nó gây ra rủi ro đáng kể cho môi trường. Do đó, chúng không phải là sự thay thế lý tưởng cho pin mặt trời silicon tinh thể.

Các tế bào hỗn hợp Gallium arsenide (GaAs) III{0}}V có thể đạt hiệu suất chuyển đổi lên tới 28%. Vật liệu hỗn hợp GaAs có khoảng dải quang lý tưởng và hiệu suất hấp thụ cao, khả năng chống bức xạ mạnh và không nhạy cảm với nhiệt, khiến chúng phù hợp để sản xuất tế bào tiếp xúc đơn-hiệu suất cao. Tuy nhiên, giá thành cao của vật liệu GaAs đã hạn chế đáng kể việc sử dụng rộng rãi nó.

Tế bào màng mỏng{0}}đồng indium selenide (CIS) thích hợp cho quá trình chuyển đổi quang điện, không bị suy thoái do ánh sáng-gây ra và mang lại hiệu suất chuyển đổi tương đương với silicon đa tinh thể. Với chi phí thấp, hiệu suất tuyệt vời và quy trình sản xuất đơn giản, chúng sẵn sàng trở thành hướng phát triển chính để phát triển pin mặt trời. Vấn đề duy nhất là nguồn nguyên liệu. Vì indium và selen là những nguyên tố tương đối hiếm nên việc phát triển loại pin này chắc chắn bị hạn chế.